厦门士兰集宏半导体有限公司:

　　《厦门士兰集宏半导体有限公司8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目（一期）节能报告》（以下简称“节能报告”）收悉。根据《中华人民共和国节约能源法》第十五条和《固定资产投资项目节能审查办法》（国家发展改革委令2023年第2号）等法律法规，我局组织专家对节能报告进行了审查，形成本审查意见。

　　一、项目基本情况

　　项目属C3972半导体分立器件制造，项目编码：2404-350205-06-05-792763，建设地址位于厦门市海沧区 05-12 沧江新城片区南海路与南海三路交叉口西北侧 H2024G03-G地块。

　　项目主要建设内容：项目位于H2024G03-G，建筑面积239793 平方米，用地面积136300平方米。项目总投资70亿元，计划建设一幢8英寸SiC 功率器件芯片生产线厂房及配套生产和生活设施。建设工程包括SiC功率器件芯片生产线厂房（含生产辅助区）、FA厂房、动力站、甲/乙/丙类化学品库、废水站、资源回收站等生产及配套设施，以及综合服务中心等生活配套设施。主要产品为：第三代 SiC 功率器件芯片，2029 年达产后形成年产42.0万片（3.5 万片/月）8 英寸SiC 功率器件芯片的生产能力。

　　二、审查意见

　　（一）结合专家评审意见，原则同意节能报告。节能报告主要依据适当，内容、深度基本符合固定资产投资项目节能评审相关要求；项目用能分析客观合理，方法科学，结论相对准确，节能措施基本可行；项目的能源消费量和能效水平满足本地区能源消耗总量和强度“双控”管理要求。

　　（二）关于能源消费种类及其消耗量。本项目能源消费种类主要是电力、天然气，年综合能耗折合16368.04吨标准煤（当量值），其中，年电力消耗量为12150.88万kWh，折合14933.44吨标准煤（当量值）；年天然气消耗量118.14万m³，折合1434.60吨标准煤。

　　三、工作要求

　　（一）项目建设应认真落实节能报告提出的各项节能管理和技术措施。

　　（二）项目建设过程中，应将节能报告作为项目设计、施工、验收及后期运营的重要依据，落实节能报告中的节能措施，严格遵守节能法律法规，做好节能减排工作。

　　（三）项目单位在项目实施前应按照《中华人民共和国环境保护法》《中华人民共和国安全生产法》《中华人民共和国消防法》《中华人民共和国节约能源法》有关要求，做好环境影响评价、节能资源综合利用、安全评估，并做好安全生产及消防“三同时”等有关工作，落实“禁限控”目录和项目安全准入条件。

　　（四）项目建设地点、建设内容、用能工艺、建设规模、能效水平等发生重大变动的，或年实际综合能源消费量超过节能审查批复水平 10%及以上的，建设单位应向我局提交变更申请。

　　（五）项目投入生产、使用前，应对节能报告中的生产工艺、用能设备、节能技术采用情况以及节能审查意见落实情况进行验收，并编制节能验收报告报送我局。对未按规定进行节能验收或验收不合格，擅自投入生产、使用的固定资产投资项目，以及以提供虚假材料等不正当手段通过节能验收的固定资产投资项目，将责令建设单位限期整改，并处3万元以上5万元以下罚款。

　　（六）项目投产后，应严格按照节能环保、安全生产、消防等方面的法规要求进行管理，严格控制年能源消费量、能耗指标等，使之不高于报告书测算值。

　　（七）建设单位应建立能源管理体系对公司能源进行管理，建设能耗在线监测系统并有效运行，促进能源绩效提升。

　　四、相关说明

　　本节能审查意见自印发之日起2年内有效，逾期未开工建设或实际建成时间超过节能报告中预计建成时间2年以上的，应重新进行节能审查。

　　厦门市工业和信息化局   

　　2024年10月31日    

　　（此件主动公开）